日本AET介電常數(shù)測試儀價格
日本AET微波(高頻)介電常數(shù)測試儀(Microwave Dielectric Measurement System), 利用微波技術(shù)結(jié)合高Q腔以及3D電磁場模擬技術(shù)，采用德國CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM，測量材料的高頻介電常數(shù)，此方法保證了介電常數(shù)測量結(jié)果的**性。
AET公司開發(fā)了二種共振腔：空洞共振腔和開放式同軸共振腔用于測試環(huán)境腔。
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。
印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。
日本AET 公司針對CCL/印刷電路板設計空洞共振腔測試裝置 , 只需裁成小長條狀即可量測**的復介電常數(shù)(Dk), 尤其是低損耗(Df)的樣品, 測量值非常精準。
用于介電常數(shù)測試儀，介電常數(shù)分析，介電損耗測試，高頻介電常數(shù)測量。
技術(shù)參數(shù)
頻率范圍：1G~20GHz
同軸共振腔：
介電常數(shù)Epsilon：1~30，準確度：+/-1%，
介電損耗tangent delta：0.05~0.0001，準確度：+/-5%
應用領域：
薄膜材料，半導體材料，電子材料（包括CCL和PCB），化學品，陶瓷材料，納米材料，光電材料等。
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