1.“電壓(v)／度”旋鈕開關(guān) 此旋鈕開關(guān)是一個(gè)具有4種偏轉(zhuǎn)作用共17擋的旋鈕開關(guān)，用來選擇圖示儀x軸所代表的變量及其倍率。在測(cè)試小功率晶體管的輸出特性曲線時(shí)，該旋鈕置VCE的有關(guān)擋。測(cè)量輸入特性曲線時(shí)，該旋鈕置VBE的有關(guān)擋。
2.“電流／度”旋鈕開關(guān) 此旋鈕開關(guān)是一個(gè)具有4種偏轉(zhuǎn)作用共22擋的旋鈕開關(guān)，用來選擇圖示儀Y軸所代表的變量及其倍率。在測(cè)試小功率晶體管的輸出特性曲線時(shí)，該旋鈕置Ic的有關(guān)擋。測(cè)量輸入特性時(shí)，該旋鈕置“基極電流或基極源電壓”擋(儀器面板上畫有階梯波形的一擋)。
3.“峰值電壓范圍”開關(guān)和“峰值電壓％”旋鈕 峰值電壓范圍’’是5個(gè)擋位的按鍵開關(guān)。“峰值電壓％”是連續(xù)可調(diào)的旋鈕。它們的共同作用是用來控制“集電極掃描電壓”的大小。不管“峰值電壓范圍”置于哪一擋，都必須在開始時(shí)將“峰值電壓％”置于0位，然后逐漸小心地增大到一定值。否則容易損壞被測(cè)管。一個(gè)管子測(cè)試完畢后，“峰值電壓％”旋鈕應(yīng)回調(diào)至零。
4.“功耗限制電阻”旋鈕 “功耗限制電阻”相當(dāng)于晶體管放大器中的集電極電阻，它串聯(lián)在被測(cè)晶體管的集電極與集電極掃描電壓源之間，用來調(diào)節(jié)流過晶體管的電流，從而限制被測(cè)管的功耗。測(cè)試功率管時(shí)，一般選該電阻值為1kΩ。
5.“基極階梯信號(hào)”旋鈕 此旋鈕給基極加上周期性變化的電流信號(hào)。每兩級(jí)階梯信號(hào)之間的差值大小由“階梯選擇毫安／級(jí)”來選擇。為方便起見，一般選10μA。每個(gè)周期中階梯信號(hào)的階梯數(shù)由“級(jí)族”來選擇，階梯信號(hào)每簇的級(jí)數(shù)，實(shí)際上就是在圖示儀上所能顯示的輸出特性曲線的根數(shù)。階梯信號(hào)每**的毫安值的大小，就反映了圖示儀上所顯示的輸出特性曲線的疏密程度。
6.“零電壓”、“零電流”開關(guān)此開關(guān)是對(duì)被測(cè)晶體管基極狀態(tài)進(jìn)行設(shè)置的開關(guān)。當(dāng)測(cè)量管子的擊穿電壓和穿透電流時(shí)，都需要使被測(cè)管的基極處于開路狀態(tài)。這時(shí)可以將該開關(guān)設(shè)置在“零電流”擋(只有開路時(shí)，才能保證電流為零)。當(dāng)測(cè)量晶體管的擊穿電流時(shí)，需要使被測(cè)管的基、射極短路，這時(shí)可以通過將該開關(guān)設(shè)置在“零電壓”擋來實(shí)現(xiàn)。
文章標(biāo)題：半導(dǎo)體特性圖示儀的使用方法
