測量范圍 | 電阻率：10-4～105 Ω.cm(可擴展)；
方塊電阻：10-3～106 Ω/□(可擴展)；
電導率：10-5～104 s/cm；
電阻：10-4～105 Ω；
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可測晶片直徑 | 140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；
200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；
400mmX500mm(配S-2C型測試臺)； |
恒流源 | 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào) |
數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示； |
四探針探頭基本指標 | 間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)； |
模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進行) | 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 |
整機測量*大相對誤差 | (用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±4% |
標準使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃；
相對濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強光直射； |
